在碱性催化条件下正硅酸乙酯的溶胶体系中，引入二甲基甲酰胺(DMF)进行原位共溶胶凝胶，并结合常压干燥工艺制备多孔SiO2增透薄膜。利用Netzsch热分析仪研究了干凝胶在干燥过程中的热稳定性、用扫描电子显微镜（SEM）对样品薄膜的形态结构进行了表征，用分光光度计考察了DMF对膜层增透性能的影响。实验结果表明，DMF能有效防止凝胶的开裂，抑制颗粒团簇的产生，使胶粒聚联成大的网络结构，提高了成膜性能；DMF的加入能提高薄膜的透射率，使膜层在300~1000 nm范围内透射率达99%以上。

采用电子束蒸发和阳极氧化法，在B207光学玻璃基底上制备出了孔径大小可调、孔隙率可调的多孔氧化铝光学薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)和分光光度计分别表征了薄膜的形貌和透射率。结果表明,电子束蒸发的铝膜表面质量比电抛光的铝箔表面质量差；与一次氧化法相比，二次氧化法可以显著提高膜的表面质量；与硫酸和草酸电解液相比，在磷酸电解液中制备的多孔氧化铝薄膜具有较大的孔径，更高的孔隙率；退火有利于多孔氧化铝薄膜透射率的提高。

以硫酸、草酸溶液为电解液,采用二次阳极氧化法制备了高度有序的多孔氧化铝膜。采用X射线衍射测定了铝箔退火前后的晶体结构, 场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和原子力显微镜(AFM)对多孔氧化铝膜形貌进行了表征。成功制备出孔径分布为20～100 nm, 孔间距在50～150 nm, 孔深在0.2～70 μm, 孔密度在109～1012 /cm2范围内可调控的有序多孔氧化铝膜。讨论了多孔氧化铝膜的形成过程及机理, 分析了铝箔预处理、氧化电压、电解液种类、浓度对多孔氧化铝膜结构的影响。

建立了等离子体微滴的两结果微滴及四结果微滴雾化模型。对比分析了两种模型下的微滴雾化过程，讨论了各自适用的情况。研究了微滴初始参量对微滴雾化过程的影响，分析了在材料激光损伤研究中，如何控制等离子体爆炸现象。该研究对材料激光损伤问题的探索，尤其是在认识和控制等离子体爆炸所造成的影响方面具有一定的价值。

以Ta2O5为初始膜料, 采用电子束蒸发制备了Ta2O5薄膜, 以空气和氩气分别作退火保护气氛, 以X射线粉末衍射仪(XRD)为测试手段研究了退火后薄膜的结构, 用分光光度计测试了薄膜在可见光及近红外波段的透射率, 利用透射率极小值计算了几个典型波段的折射率。研究了保温时间、保温温度、保护气氛对Ta2O5薄膜透射率和折射率的影响。试验结果表明, 对Ta2O5薄膜进行300～600 ℃下保温2 h的退火处理, 对透射率影响不大; 500 ℃下保温4 h退火处理获得的薄膜折射率最大; 对Ta2O5薄膜进行氩气保护中400 ℃下保温2 h,4 h的退火处理, 近紫外波段内的透射率峰值降低, 可见光波段的透射率峰值升高, 折射率提高。与空气中处理的试样相比较, 氩气保护中试样的透射光谱发生红移, 折射率明显提高; Ta2O5薄膜在≤600 ℃下退火后仍为非晶态。

光学薄膜的缺陷是光学系统性能提高的瓶颈, 一直是实验和理论研究的重点。选取电子束蒸发工艺制备光学多层膜的典型缺陷, 用扫描电子显微镜(SEM)测试了表面缺陷的形貌、成分。膜料选取：TiO2,SiO2。结果表明, 结瘤缺陷在薄膜表面呈球冠状, 成分为Ti,Si的氧化物; 膜料喷溅颗粒未被完全包覆, 或者不稳定吸附物崩落后形成的缺陷为凹坑状, 成分为Ti, Si的氧化物, 但是存在明显的Ti偏析; 有一种表面粘附缺陷呈现不规则胶体状, 碳含量明显偏高, 为有机物; 另一种粘附缺陷为带棱角块状, 成分为Ti, Si的氧化物, 与由结瘤形成的球状缺陷成分一致, 是膜层崩落粘附形成。

Both the nature of avalanche ionization (AI) and the role of multi-photon ionization (MPI) in the studies of laser-induced damage have remained controversial up to now. According to the model proposed by Stuart et al., we study the role of MPI and AI in laser-induced damage in two dielectric films, fused silica (FS) and barium aluminum borosilicate (BBS), irradiated by 780-nm laser pulse with the pulse width range of 0.01-5 ps. The effects of MPI and initial electron density on seed electron generation are numerically analyzed. For FS, laser-induced damage is dominated by AI for the entire pulse width regime due to the wider band-gap. While for BBS, MPI becomes the leading power in damage for the pulse width \tau less than about 0.03 ps. MPI may result in a sharp rise of threshold fluence Fth on \tau, and AI may lead to a mild increase or even a constant value of Fth on \tau. MPI serves the production of seed electrons for AI when the electron density for AI is approached or exceeded before the end of MPI. This also means that the effect of initial electron can be neglected when MPI dominates the seed electron generation. The threshold fluence Fth decreases with the increasing initial electron density when the latter exceeds a certain critical value.

采用Nd∶YAG三倍频激光对光学薄膜进行了预处理。实验发现三倍频激光预处理对薄膜的抗激光损伤能力有明显的影响,影响规律比较复杂,归纳得出合适激光预处理能量密度与测试激光能量密度有关。理论上借助杂质诱导薄膜损伤的概率统计模型,从激光预处理引起的激光微区退火以及形成微尺寸损伤两个主要方面着手,很好地解释了复杂的实验现象。总体上看,预处理激光能量密度低于激光退火所需临界能量密度时,预处理效果以负作用为主;预处理激光能量密度高于激光退火所需临界能量密度,且低于激光诱导薄膜微损伤所需临界能量密度时,预处理效果以改善薄膜抗激光损伤能力为主,预处理激光能量密度要尽量选在这个范围内;预处理激光能量密度高于激光诱导薄膜微损伤所需临界能量密度时,预处理效果同样以负作用为主。